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IXTX102N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3

nicht konform

IXTX102N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.55000 $13.55
30 $11.39600 $341.88
120 $10.47200 $1256.64
510 $8.93200 $4555.32
1,020 $8.62400 -
1 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 102A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C450NAFT1G
NVMFS5C450NAFT1G
$0 $/Stück
BSS84Q-13-F
IRF510
IRF510
$0 $/Stück
ZVN2106GTA
IRLR120PBF
IRLR120PBF
$0 $/Stück
E3M0120090J
E3M0120090J
$0 $/Stück
BSP126,135
BSP126,135
$0 $/Stück
NVTFS004N04CTAG
NVTFS004N04CTAG
$0 $/Stück

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