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IXTY02N50D

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 200MA TO252

IXTY02N50D Technisches Datenblatt

compliant

IXTY02N50D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
140 $3.28000 $459.2
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 30Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 120 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

APT6015LVRG
MCH6421-TL-W
MCH6421-TL-W
$0 $/Stück
5HN02N
5HN02N
$0 $/Stück
MSC060SMA070B
UF4C120053K4S
UF4C120053K4S
$0 $/Stück
IXTP230N075T2
IXTP230N075T2
$0 $/Stück
IXTT96N15P
IXTT96N15P
$0 $/Stück
IXTX240N075L2
IXTX240N075L2
$0 $/Stück

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