Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTY08N120P

IXTY08N120P

IXTY08N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 8A TO220AB

IXTY08N120P Technisches Datenblatt

compliant

IXTY08N120P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
70 $2.40000 $168
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

MTP75N03HDL
MTP75N03HDL
$0 $/Stück
IXFH20N60Q
IXFH20N60Q
$0 $/Stück
FQB7N10LTM
FQB7N10LTM
$0 $/Stück
IPI05N03LA
SI4654DY-T1-GE3
STD55N4F5
STD55N4F5
$0 $/Stück
IRFPS40N50L
IRFPS40N50L
$0 $/Stück
STU75N3LLH6-S
FDC645N_F095
FDC645N_F095
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.