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IXTY15N20T

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 15A TO252

IXTY15N20T Technisches Datenblatt

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IXTY15N20T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
70 $1.31600 $92.12
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRF7663
IRF7663
$0 $/Stück
NTB5605T4G
NTB5605T4G
$0 $/Stück
IRFR9024NTRR
SI2335DS-T1-GE3
MMFTN2362
BMS3003-1E
BMS3003-1E
$0 $/Stück
FDC637AN-NB5E023A
FDC637AN-NB5E023A
$0 $/Stück
BSN304,126
BSN304,126
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