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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 20V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 15mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 160 nC @ 20 V |
| vgs (max) | +20V, -5V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 2790 pF @ 1000 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268AA (D3Pak-HV) |
| Paket / Koffer | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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