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3N170 TO-72 4L

3N170 TO-72 4L

3N170 TO-72 4L

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

nicht konform

3N170 TO-72 4L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.49000 $6.49
500 $6.4251 $3212.55
1000 $6.3602 $6360.2
1500 $6.2953 $9442.95
2000 $6.2304 $12460.8
2500 $6.1655 $15413.75
880 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30mA
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200Ohm @ 100µA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±35V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 135°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-72-4
Paket / Koffer TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

SIS407ADN-T1-GE3
GT650N15K
BUK78150-55A/CUF
STF13N60DM2
IXTA12N50P
IXTA12N50P
$0 $/Stück
DMP2065U-13
FQPF17N08
IXTK600N04T2
IXTK600N04T2
$0 $/Stück

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