Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 39A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 20V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 10mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 95 nC @ 20 V |
| vgs (max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1825 pF @ 800 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 179W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
| Paket / Koffer | TO-247-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.