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1H3G-TP

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DIODE HI EFF R-2

1H3G-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

1H3G-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1 V @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 50 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 200 V
Kapazität @ vr, f 20pF @ 4V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer R-1, Axial
Lieferantengerätepaket R-1
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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Zugehörige Teilenummer

ES2M-TP
ES2M-TP
$0 $/Stück
CDS647UR-1
NXPSC06650DJ
FR10K-TP
FR10K-TP
$0 $/Stück
JANTX1N1188R
SURS5664T3
SURS5664T3
$0 $/Stück

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