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2SK3019-TP

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MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523

2SK3019-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

2SK3019-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.05750 -
6,000 $0.05000 -
15,000 $0.04250 -
30,000 $0.04000 -
75,000 $0.03750 -
150,000 $0.03500 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13 pF @ 5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

IXFQ26N50P3
IXFQ26N50P3
$0 $/Stück
PMPB20EN,115
CSD19536KTTT
FQPF11P06
FQPF11P06
$0 $/Stück
R6042JNZ4C13
BUK7Y102-100B,115
R6515ENXC7G
IRFR024PBF
IRFR024PBF
$0 $/Stück
SQJ457EP-T1_BE3

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