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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 100 mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| Widerstand - Basis (r1) | 10 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (r2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 5mA, 5V |
| vce-Sättigung (max) @ ib, ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250 MHz |
| Leistung - max. | 300 mW |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Lieferantengerätepaket | TO-92S |
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