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MCB130N10Y-TP

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MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

nicht konform

MCB130N10Y-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.37000 $2.37
500 $2.3463 $1173.15
1000 $2.3226 $2322.6
1500 $2.2989 $3448.35
2000 $2.2752 $4550.4
2500 $2.2515 $5628.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 101.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6124.6 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

MTD3302T4
MTD3302T4
$0 $/Stück
FDB13AN06A0
FDB13AN06A0
$0 $/Stück
SIHF28N60EF-GE3
PSMN1R7-40YLDX
SIHA24N65EF-E3
STFI15N95K5

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