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MCG16P03-TP

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MOSFET P-CH 30V 16A DFN3030

MCG16P03-TP Technisches Datenblatt

compliant

MCG16P03-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
29500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2130 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3030
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6H864NWFT1G
NVMFS6H864NWFT1G
$0 $/Stück
DMP610DL-7
DMT10H009LH3
NVTFS020N06CTAG
NVTFS020N06CTAG
$0 $/Stück
DMN14M8UFDF-13
IXTX660N04T4
IXTX660N04T4
$0 $/Stück
NVTFWS040N10MCLTAG
NVTFWS040N10MCLTAG
$0 $/Stück
2SJ632-TD-E
2SJ632-TD-E
$0 $/Stück

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