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MCG35P04-TP

MCG35P04-TP

MCG35P04-TP

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

MCG35P04-TP Technisches Datenblatt

compliant

MCG35P04-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1257 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333
Paket / Koffer 8-VDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

MCAC90N04-TP
SIHA6N80AE-GE3
DMP3017SFV-13
NTMT185N60S5H
NTMT185N60S5H
$0 $/Stück
SIHFR120-GE3
SIHFR120-GE3
$0 $/Stück
NDCTR08120A
NDCTR08120A
$0 $/Stück

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