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MCP07N65-BP

MCP07N65-BP

MCP07N65-BP

MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

MCP07N65-BP Technisches Datenblatt

compliant

MCP07N65-BP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.82000 $0.82
500 $0.8118 $405.9
1000 $0.8036 $803.6
1500 $0.7954 $1193.1
2000 $0.7872 $1574.4
2500 $0.779 $1947.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTE2389
NTE2389
$0 $/Stück
FDN342P
FDN342P
$0 $/Stück
SIJA72ADP-T1-GE3
PMV56XN,215
PMV56XN,215
$0 $/Stück
RD3S100CNTL1
DMN3066L-13
SQJ420EP-T1_GE3

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