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SI2102A-TP

SI2102A-TP

SI2102A-TP

N-CHANNEL MOSFET

SI2102A-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI2102A-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
2088 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 220 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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