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SI2306-TP

SI2306-TP

SI2306-TP

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23

SI2306-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI2306-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.08550 -
6,000 $0.07790 -
15,000 $0.07030 -
30,000 $0.06650 -
75,000 $0.06270 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.5 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 305 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NTD3817NT4G
NTD3817NT4G
$0 $/Stück
SIHP11N80E-BE3
NVMFS5C426NLT1G
NVMFS5C426NLT1G
$0 $/Stück
IXFL132N50P3
IXFL132N50P3
$0 $/Stück
DMN31D5UFO-7B
RD3H200SNTL1
BUK98150-55A/CUF
RQ3E120ATTB

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