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SI2310-TP

SI2310-TP

SI2310-TP

MOSFET N-CH 60V 3A SOT23

SI2310-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI2310-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07600 -
6,000 $0.06840 -
15,000 $0.06080 -
30,000 $0.05700 -
75,000 $0.05320 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 247 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQP24N08
FQP24N08
$0 $/Stück
SFT1423-E
SFT1423-E
$0 $/Stück
ZXMP10A18GTA
NTE2394
NTE2394
$0 $/Stück
2N7002H-13
IXFP16N50P
IXFP16N50P
$0 $/Stück
APT1001R6BFLLG

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