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SI2312-TP

SI2312-TP

SI2312-TP

MOSFET N-CH 20V 5A SOT23

SI2312-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI2312-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07600 -
6,000 $0.06840 -
15,000 $0.06080 -
30,000 $0.05700 -
75,000 $0.05320 -
21858 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 41mOhm @ 4.3A, 1.8V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 865 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQN1N50CBU
NVMFS5C426NWFAFT1G
NVMFS5C426NWFAFT1G
$0 $/Stück
NTMFS4821NT1G
NTMFS4821NT1G
$0 $/Stück
DMNH4006SK3-13
SIHP105N60EF-GE3
IPP60R600P7
SPD04N60S5
STD10P6F6
STD10P6F6
$0 $/Stück
SI5476DU-T1-GE3
IXTP12N50P
IXTP12N50P
$0 $/Stück

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