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SI2312B-TP

SI2312B-TP

SI2312B-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

SI2312B-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI2312B-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.38000 $0.38
500 $0.3762 $188.1
1000 $0.3724 $372.4
1500 $0.3686 $552.9
2000 $0.3648 $729.6
2500 $0.361 $902.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 500 pF @ 8 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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