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SI3139K-TP

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SI3139K-TP

MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723

SI3139K-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI3139K-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.07790 -
16,000 $0.07030 -
24,000 $0.06650 -
56,000 $0.06270 -
30937 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 660mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 950mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 170 pF @ 16 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-723
Paket / Koffer SOT-723
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Zugehörige Teilenummer

PMCM6501VPEZ
IXTT36N50P
IXTT36N50P
$0 $/Stück
STB14NK60ZT4
DMP2008USS-13
MCH3376-TL-E
MCH3376-TL-E
$0 $/Stück
NTP35N15G
NTP35N15G
$0 $/Stück
G3R450MT17J

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