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SI3400-TP

SI3400-TP

SI3400-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

SI3400-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI3400-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.8A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1050 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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