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SI3400A-TP

SI3400A-TP

SI3400A-TP

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

SI3400A-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI3400A-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.16150 -
6,000 $0.15300 -
15,000 $0.14450 -
30,000 $0.14025 -
3050 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.8A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1155 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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