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SI3415-TP

SI3415-TP

SI3415-TP

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

SI3415-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI3415-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07600 -
6,000 $0.06840 -
15,000 $0.06080 -
30,000 $0.05700 -
75,000 $0.05320 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SI5418DU-T1-GE3
STL86N3LLH6AG
ZVP2106A
ZVP2106A
$0 $/Stück
SQ3426EV-T1_BE3
MTP16N25E
MTP16N25E
$0 $/Stück
SI2314EDS-T1-GE3

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