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SI3420-TP

SI3420-TP

SI3420-TP

MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23

SI3420-TP Technisches Datenblatt

compliant

SI3420-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06750 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 630 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

DMP2040UVT-7
MCAC88N12-TP
DMP2040UVT-13
FDM47-06KC5
FDM47-06KC5
$0 $/Stück
SIHG33N60E-E3
NTB011N15MC
NTB011N15MC
$0 $/Stück
GT110N06S

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