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SIL08N02-TP

SIL08N02-TP

SIL08N02-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L

SIL08N02-TP Technisches Datenblatt

compliant

SIL08N02-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6L
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

DMTH4007SPS-13
2SK3818-DL-E
2SK3818-DL-E
$0 $/Stück
IRF822
IRF822
$0 $/Stück
DMT6009LFG-13
FDU5N50NZTU
FDU5N50NZTU
$0 $/Stück
DMP3011SFVW-13
STU25N10F7
STU25N10F7
$0 $/Stück

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