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US1ME-TP

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DIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE

US1ME-TP Technisches Datenblatt

compliant

US1ME-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
6,000 $0.08775 -
12,000 $0.08100 -
30,000 $0.07650 -
60,000 $0.07425 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1000 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 75 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f 17pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket SMAE
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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