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1N5617US

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DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

1N5617US Technisches Datenblatt

compliant

1N5617US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.75000 $8.75
10 $7.87500 $78.75
100 $6.47500 $647.5
500 $5.42500 $2712.5
1,000 $4.90000 -
177 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 400 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.6 V @ 3 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 150 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 500 nA @ 400 V
Kapazität @ vr, f 35pF @ 12V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, A
Lieferantengerätepaket D-5A
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

HSM835J/TR13
STTH4R02U
STTH4R02U
$0 $/Stück
1N5397GP-TP
BAS20HT1
BAS20HT1
$0 $/Stück
MBRD10150
MBRD10150
$0 $/Stück
1PS76SB40,115
6A06-G
6A06-G
$0 $/Stück
RFUH10TB4SNZC9
NTE569
NTE569
$0 $/Stück

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