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1N5811US

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DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

1N5811US Technisches Datenblatt

compliant

1N5811US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $9.68000 $9.68
10 $8.70800 $87.08
100 $7.15950 $715.95
500 $5.99850 $2999.25
1,000 $5.41800 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 150 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 30 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 50 V
Kapazität @ vr, f 60pF @ 10V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

PMEG3020BER,115
SL310B
SL310B
$0 $/Stück
SJPE-H4V
SJPE-H4V
$0 $/Stück
RURG80100
RURG80100
$0 $/Stück
CDBC2150LR-HF
DPG10I400PA
DPG10I400PA
$0 $/Stück
RB068MM-40TFTR

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