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2N6660

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MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

2N6660 Technisches Datenblatt

compliant

2N6660 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.41000 $11.41
25 $10.46480 $261.62
100 $10.18050 $1018.05
2161 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 410mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 24 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-39
Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

STB11NK40ZT4
SIRS700DP-T1-GE3
IXFA130N10T2-TRL
IXFA130N10T2-TRL
$0 $/Stück
BUK7675-100A,118
SIR576DP-T1-RE3
RRH140P03TB1
DMG301NU-13
DMN2028UVT-7
NTMFD4952NFT1G
NTMFD4952NFT1G
$0 $/Stück
SIHP8N50D-E3
SIHP8N50D-E3
$0 $/Stück

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