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APT20M11JVFR

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MOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP

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APT20M11JVFR Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 175A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 21600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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