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APT29F100B2

APT29F100B2

APT29F100B2

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

APT29F100B2 Technisches Datenblatt

compliant

APT29F100B2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $20.15000 $20.15
10 $18.31900 $183.19
100 $15.57130 $1557.13
500 $13.28142 $6640.71
23 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 440mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

2N7002MTF
STW40N95DK5
PHP18NQ11T,127
APT5010JVR
SQ2301ES-T1_GE3
PMPB12UNEX
PMPB12UNEX
$0 $/Stück
SI4488DY-T1-E3
STD6N95K5
STD6N95K5
$0 $/Stück

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