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APT30M60J

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MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP

APT30M60J Technisches Datenblatt

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APT30M60J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
20 $23.87050 $477.41
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 215 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5890 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 355W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRF6662TRPBF
SQD50P04-13L_T4GE3
IRF7483MTRPBF
IXFR48N60Q3
IXFR48N60Q3
$0 $/Stück
NVMTS4D3N15MC
NVMTS4D3N15MC
$0 $/Stück
PMV28UNEAR
PMV28UNEAR
$0 $/Stück
FDS7764A
SI2319DS-T1-GE3

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