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APT58M80J

APT58M80J

APT58M80J

MOSFET N-CH 800V 60A SOT227

APT58M80J Technisches Datenblatt

compliant

APT58M80J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $54.10000 $54.1
10 $50.91800 $509.18
25 $47.73600 $1193.4
100 $45.50830 $4550.83
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 570 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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