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APT66F60B2

APT66F60B2

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MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX

APT66F60B2 Technisches Datenblatt

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APT66F60B2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $20.93000 $20.93
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 330 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13190 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

FQPF5N20L
RW1A025APT2CR
IRFB3207ZPBF
HRF3205_NL
MMIX1F420N10T
MMIX1F420N10T
$0 $/Stück
BSC886N03LSG
3LP01SS-TL-EX
3LP01SS-TL-EX
$0 $/Stück

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