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APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

compliant

APTM100H35FT3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $100.07640 $10007.64
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000V (1kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 186nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200pF @ 25V
Leistung - max. 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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Zugehörige Teilenummer

NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG
$0 $/Stück
LKK47-06C5
LKK47-06C5
$0 $/Stück
CPH3418-TL-H-ON
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$0 $/Stück
FDMC0205
SP8K33HZGTB
MTC120WX75GD-SMD
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$0 $/Stück
APTM50HM75SCTG
2SJ418-TL-E-SY
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$0 $/Stück
2SK583-MTK-AA
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