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APTM10DHM05G

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MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

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APTM10DHM05G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 278A
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 125A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 700nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 20000pF @ 25V
Leistung - max. 780W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP6
Lieferantengerätepaket SP6
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Zugehörige Teilenummer

DMT6018LDR-13
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RFP40N10S5001
MTB6N60ET4
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$0 $/Stück
CPH5614-TL-E-ON
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NTTBC070NP10M5L
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NTK3142PT1H-ON
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SI3139KDWA-TP

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