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APTM20AM08FTG

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MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

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APTM20AM08FTG Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 208A
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 104A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 280nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14400pF @ 25V
Leistung - max. 781W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP4
Lieferantengerätepaket SP4
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Zugehörige Teilenummer

EFC6605R-V-TR
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2SK4085LS-CB11-SY
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