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APTM20DAM05G

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MOSFET N-CH 200V 317A SP6

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APTM20DAM05G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 317A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 158.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 448 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 27400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1136W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SP6
Paket / Koffer SP6
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Zugehörige Teilenummer

NTB6N60
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SI4101DY-T1-GE3
NTLJS17D0P03P8ZTAG
NTLJS17D0P03P8ZTAG
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DMP3056LDMQ-7
STP26N60M2
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FDPF18N20FT
FDPF18N20FT
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