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APTM50UM09FAG

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MOSFET N-CH 500V 497A SP6

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APTM50UM09FAG Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 497A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 248.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 30mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1200 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 63300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5000W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SP6
Paket / Koffer SP6
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Zugehörige Teilenummer

SQJ402EP-T1_BE3
RM2305B
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$0 $/Stück
FDFS2P102
2SK4089LS
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$0 $/Stück
SIR880DP-T1-GE3
RCX220N25
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$0 $/Stück

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