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DN3525N8-G

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MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA

DN3525N8-G Technisches Datenblatt

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DN3525N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.51912 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 360mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 200mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
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