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JAN1N5417US

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DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

JAN1N5417US Technisches Datenblatt

compliant

JAN1N5417US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $12.03600 $1203.6
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.5 V @ 9 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 150 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 1 µA @ 200 V
Kapazität @ vr, f -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

1N1661
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1N3173R
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1N3262R
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MUR5040
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ES8JC-HF
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1N1342B
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R716
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1N3644
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R6011630XXYA
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R7002403XXUA
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