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DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

JAN1N5550US Technisches Datenblatt

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JAN1N5550US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.2 V @ 9 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 2 µs
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 1 µA @ 200 V
Kapazität @ vr, f -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket D-5B
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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