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JAN1N5553US

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DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

SOT-23

JAN1N5553US Technisches Datenblatt

nicht konform

JAN1N5553US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $16.40500 $1640.5
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 800 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.3 V @ 9 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 2 µs
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 1 µA @ 800 V
Kapazität @ vr, f -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket D-5B
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

R34160
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$0 $/Stück
1N6660R
1N6660R
$0 $/Stück
R6220230PSOO
R6220230PSOO
$0 $/Stück
CDBU42
CDBU42
$0 $/Stück
SD175SA30B.T1
UFS505J/TR13
CDLL5822
CDLL5822
$0 $/Stück
10A05
10A05
$0 $/Stück
MBR8020R

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