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JAN1N5615US

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DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

JAN1N5615US Technisches Datenblatt

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JAN1N5615US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.18000 $12.18
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 800 mV @ 3 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 150 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 500 µA @ 200 V
Kapazität @ vr, f -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, A
Lieferantengerätepaket D-5A
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 200°C
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