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JAN1N5807US

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DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

JAN1N5807US Technisches Datenblatt

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JAN1N5807US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $9.57100 $957.1
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 50 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 6A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 30 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 50 V
Kapazität @ vr, f 60pF @ 10V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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