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JAN1N6622US

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DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

JAN1N6622US Technisches Datenblatt

compliant

JAN1N6622US Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.65000 $13.65
500 $13.5135 $6756.75
1000 $13.377 $13377
1500 $13.2405 $19860.75
2000 $13.104 $26208
2500 $12.9675 $32418.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 660 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1.2A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.4 V @ 1.2 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 30 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 500 nA @ 660 V
Kapazität @ vr, f 10pF @ 10V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SQ-MELF, A
Lieferantengerätepaket D-5A
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 150°C
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Zugehörige Teilenummer

RF505TF6SFHC9
ER2K
ER2K
$0 $/Stück
SDM20U30LPQ-7
BYP25A6
BYP25A6
$0 $/Stück
MBR360G
MBR360G
$0 $/Stück
PT800K-CT
MBRS360T3G
MBRS360T3G
$0 $/Stück

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