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MQ2N5116UB/TR

MQ2N5116UB/TR

MQ2N5116UB/TR

JFET

nicht konform

MQ2N5116UB/TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $82.17000 $82.17
500 $81.3483 $40674.15
1000 $80.5266 $80526.6
1500 $79.7049 $119557.35
2000 $78.8832 $157766.4
2500 $78.0615 $195153.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Spannung - Durchschlag (v(br)gss) 30 V
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Abfluss (idss) @ vds (vgs=0) 5 mA @ 15 V
Stromaufnahme (id) - max -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ ID 1 V @ 1 nA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 27pF @ 15V
Widerstand - rds(on) 175 Ohms
Leistung - max. 500 mW
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 3-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket UB
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