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MSCMC120AM04CT6LIAG

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PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 388A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 5.7mOhm @ 300A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 90mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 966nC @ 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 16700pF @ 1000V
Leistung - max. 1754W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket SP6C LI
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