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MSCSM120AM50CT1AG

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MSCSM120AM50CT1AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F

nicht konform

MSCSM120AM50CT1AG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $94.94000 $94.94
500 $93.9906 $46995.3
1000 $93.0412 $93041.2
1500 $92.0918 $138137.7
2000 $91.1424 $182284.8
2500 $90.193 $225482.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 137nC @ 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1990pF @ 1000V
Leistung - max. 245W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket SP1F
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Zugehörige Teilenummer

SQ3985EV-T1_GE3
FDS6994S
FDMA3023PZ
FDMA3023PZ
$0 $/Stück
SI4228DY-T1-GE3
IRF7343TRPBF
FDS8978
FDS8978
$0 $/Stück
DMC2041UFDB-13
NTJD5121NT2G
NTJD5121NT2G
$0 $/Stück

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