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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | 4 N-Channel |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 700V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 241A (Tc) |
rds ein (max) @ id, vgs | 9.5mOhm @ 80A, 20V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.4V @ 8mA (Typ) |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 430nC @ 20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 9000pF @ 700V |
Leistung - max. | 690W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Paket / Koffer | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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